|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
EFFECT OF THE INITIAL DOPING LEVEL ON CHANGES IN THE FREE-CARRIER CONCENTRATION IN POROUS SILICON DURING AMMONIA ADSORPTIONстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Pavlikov A.V., Osminkina L.A., Belogorokhov I.A., Konstantinova E.A., Efimova A.I., Timoshenko V.Yu, Kashkarov P.K.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 39
- Номер: 11
- Год издания: 2005
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 1338
- Последняя страница: 1341
- Добавил в систему: Кашкаров Павел Константинович