Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Self–consistent I—V characteristic calculation of real RTS with type II heterojunctions
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 16 декабря 2020 г.
Авторы:
Gergel V.
,
Lapushkin I.
,
Zakharova A.
Сборник:
Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of International Symposium - Nanostructures: Physics and Technology
Тезисы
Год издания:
1995
Место издания:
Ioffe St.Petersburg, Russia, 26-30 June
Первая страница:
253
Последняя страница:
255
Аннотация:
Исследованы самосогласованно воль-амперные характеристики ТРС с гетеропереходами второго типа.
Добавил в систему:
Захарова Анна Александровна