MODIFICATION OF BIREFRINGENCE PROPERTIES OF NANOSTRUCTURED SILICON WITH A CHANGE IN THE LEVEL OF SUBSTRATE DOPING WITH BORON

Piskunov, N.A.; Zabotnov, S.V.; Mamichev, D.A.; Golovan', L.A.; Timoshenko, V.Y.; Kashkarov, P.K.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Авторы: Piskunov N.A., Zabotnov S.V., Mamichev D.A., Golovan' L.A., Timoshenko V.Yu, Kashkarov P.K.
Журнал: Crystallography Reports
Том: 52
Номер: 4
Год издания: 2007
Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
Местоположение издательства: Russian Federation
Первая страница: 686
Последняя страница: 690
Добавил в систему: Кашкаров Павел Константинович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ЦЭМИ РАН

MODIFICATION OF BIREFRINGENCE PROPERTIES OF NANOSTRUCTURED SILICON WITH A CHANGE IN THE LEVEL OF SUBSTRATE DOPING WITH BORONстатья