The Effect of High Background and Dead Time of an InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Photodiode on the Registration of Microsecond Range Near-Infrared Luminescenceстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 14 октября 2020 г.

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст Optics_and_spectroscopy_2020.pdf 539,0 КБ 3 сентября 2020 [gonchiy_pes]