|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Structural, optical and magnetic properties of a dilute magnetic semiconductor based on Ga-dopedстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 октября 2020 г.
- Авторы: Asvarov A.Sh, Butashin A.V., Kanevsky V.M., Muslimov A.E., Perov N.S., A Chiolerio
- Журнал: Semiconductor Science and Technology
- Том: 35
- Год издания: 2020
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 1
- Последняя страница: 10
- Номер статьи: 105003
- DOI: 10.1088/1361-6641/aba41b
- Аннотация: A wide bandgap oxide/transition metal multilayered structure, consisting of foursubmicron-thick Ga-doped ZnO layers and three ultrathin Co metal layers, is studied tohighlight the induction of room temperature ferromagnetism (RTFM), a fundamental outcomeof investigations dealing with dilute magnetic semiconductors and multiferroic materials. Acomprehensive study including the structural, optical and magnetic properties of bothas-deposited and high-temperature annealed samples is described. Optical transmittancespectroscopy and x-ray diffraction measurements confirm the conversion of the layeredstructure into a solid-state solution of Co within the Ga-doped ZnO after annealing. The studydiscloses RTFM in the as-deposited state due to nonoxidized metal components within themultilayer structure.
- Добавил в систему: Перов Николай Сергеевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | текст статьи | 2020_Semicond._Sci._Technol._35_105003.pdf | 1,0 МБ | 29 сентября 2020 [perov] |