|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ (МИКРОДИСКИ, DBR, VCSEL, ТРАНЗИСТОРЫ) НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКА НИТРИДА ГАЛЛИЯ (GAN)статья
- Автор: Алтухов А.В.
- Журнал: Электропитание
- Номер: 1
- Год издания: 2020
- Первая страница: 41
- Последняя страница: 47
- Аннотация: В статье описан перспективный полупроводник нитрид галлия, открытый в середине XIX века. Благодаря своим химико-физическим свойствам он обладает способностью противостоять ионизирующему излучению, излучать в видимом спектре и выдерживать высокие напряжения. В работе рассматриваются физико-химические проблемы получения малодефектного нитрида галлия, пригодного для массового промышленного применения. В исследовании рассматриваются также вопросы, связанные c производством различных видов лазеров на нитриде галлия. Сделаны выводы о возможностях и способах применения полупроводника нитрида галлия, в том числе указано, что усилители на его основе имеют более высокий КПД по сравнению, например, с транзисторами на арсениде галлия. Показано, что оптоэлектронные компоненты с использованием нитрида галлия являются технологической базой развития «Индустрии 4.0».
- Добавил в систему: Алтухов Алексей Валерьевич