Аннотация:Показано, что профиль фазы комплексного коэффициента отражения существенно зависит от параметров кристалла. При экспоненциальном законе изменения периода кристалла появляются области, в которых фаза может быть аппроксимирована квадратичной функцией. Широкая область «квадратичного» поведения фазы ККО позволяет наблюдать сдвиг Гуса-Хенхен для сильно сфокусированных оптических пучков (порядка десятка микрометров). При отражении пучков от фотонных кристаллов с экспоненциальным законом изменения периода, происходит усиление сдвига Гуса-Хенхен по сравнению со строго периодическими структурами.
Произведено численное моделирование отражения гауссова пучка от фотонного кристалла с экспоненциальным профилем изменения периода для спектрально узких и спектрально широких пучков и проведено сравнение с теоретической моделью. Построены зависимости величины сдвига Гуса-Хенхен от параметров экспоненциального профиля фотонного кристалла и угла падения.