Фотопроводимость композитных структур на основе пористого SnO2, сенсибилизированного нанокристаллами CdSeстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 сентября 2013 г.
Аннотация:Внедрение в пористую матрицу SnO2 нанокристаллов (коллоидных квантовых точек) CdSe приводит к
появлению фотопроводимости в рассматриваемых структурах. Сенсибилизация является следствием зарядового обмена между квантовой точкой и матрицей. Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости показало, что за оптическую активность структуры ответственны внедренные в матрицу нанокристаллы. Фотопроводимость структур, сенсибилизированных квантовыми точками разного размера, исследована в области температур 77−300K. Пoказано, что максимальная фотопроводимость достигается при внедрении нанокристаллов минимального размера 2.7 нм. Обсуждаются механизмы переноса носителей заряда в матрице и кинетика зарядового обмена.