Место издания:типография НИЦ «Курчатовский институт» – ПИЯФ 188300, Гатчина Ленинградской обл., мкр. Орлова роща, д. 1
Первая страница:80
Последняя страница:80
Аннотация:Нанокомпозитные системы, представляющие включения полупроводниковых нанокристаллов в диэлектрической оксидной матрице,рассматриваются как одни из перспективных материалов активных элементов современной оптоэлектроники [1]. В настоящей работе рассматривается новый метод формирования нанокристаллитов германия в матрице пористого анодного оксида алюминия, и приводятся исследования фотолюминесцентных свойств, полученной нанокомпозитной системы (Genc@AAO). В основе метода лежит анодное окисление многослойной пленки Al/Ge с последующим восстановительным отжигом. Многослойные пленки, состоящие из двух слоев алюминия толщиной по 100 нм и среднего слоя германия толщиной 30 нм, осаждались методом вакуумного термического напыления. После осаждения пленки отжигались при температуре 100 °С в течение 1 часа. Анодирование осуществлялось в электрохимической ячейке в 0,3 М растворе щавелевой кислоты при постоянном напряжении 40 В и температуре 5 °С. Как было показано ранее в работе [2], полученные в данных режимах оксидные пленки состоят из пористых слоев оксида алюминия и оксида германия. Отжиг в среде водорода при температуре 500 °С приводит к восстановлению германия. Спектры фотолюминесценции возбуждались лазерным излучением с длиной волны 532 нм. Полоса излучения с максимумом около 665 нм связывается с излучением нанокристаллитов германия.Работа поддержана грантом РНФ № 17-79-10285.