|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Features of the Electronic Structure of the Bi2Se3 Topological Insulator Digitally Doped with 3d Transition Metalsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 4 февраля 2021 г.
- Авторы: Kulatov E.T., Men’shov V.N., Tugushev V.V., Uspenskii Yu A.
- Журнал: JETP Letters
- Том: 109
- Номер: 2
- Год издания: 2019
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 102
- Последняя страница: 108
- DOI: 10.1134/s0021364019020097
- Добавил в систему: Лаптинская Татьяна Васильевна