Transient optical non-linearity in p-Si induced by a few cycle extreme THz field

Savel’ev, A.; Chefonov, O.; Ovchinnikov, A.; Rubtsov, A.; Shkurinov, A.; Zhu, Y.; Agranat, M.; Fortov, V.

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 30 апреля 2021 г.

Авторы: Savel’ev Andrei, Chefonov Oleg, Ovchinnikov Andrei, Rubtsov Alexey, Shkurinov Alexander, Zhu Yiming, Agranat Mikhail, Fortov Vladimir
Журнал: Optics Express
Том: 29
Номер: 4
Год издания: 2021
Издательство: Optical Society of America
Местоположение издательства: United States
Первая страница: 5730
Последняя страница: 5730
DOI: 10.1364/oe.415354
Аннотация: We study the impact of a few cycle extreme terahertz (THz) radiation (the fieldstrength ETHz ∼1–15 MV/cm is well above the DC-field breakdown threshold) on a p-doped Siwafer. Pump-probe measurements of the second harmonic of a weak infrared probe were done atdifferent THz field strengths. The second harmonic yield has an unusual temporal behavior anddoes not follow the common instantaneous response, ∝E2THz. These findings were attributed to:(i) the lattice strain by the ponderomotive force of the extreme THz pulse at the maximal THzfield strength below 6 MV/cm and (ii) the modulation of the THz field-induced impact ionizationrate at the optical probe frequency (due to the modulation of the free carriers’ drift kinetic energyfrom the probe field) at the THz field strength above 6–8 MV/cm.
Добавил в систему: Савельев-Трофимов Андрей Борисович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ЦЭМИ РАН

Transient optical non-linearity in p-Si induced by a few cycle extreme THz fieldстатья

Прикрепленные файлы