Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Characteristics simulation of single-electron transistor based on the molecule with accentuated single-atom Rh detached charge center
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 апреля 2017 г.
Авторы:
Parshintsev A.A.
,
Shorokhov V.V.
,
Soldatov E.S.
Сборник:
Intenational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2016", ICMNE 2016, October 3-7, “Ershovo” resort, Moscow - Zvenigorod, Russia, Book of Abstracts
Тезисы
Год издания:
2016
Место издания:
Institute of Physics and Technology of the RAS, Москва
Первая страница:
178-P2-12
Добавил в систему:
Солдатов Евгений Сергеевич