|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Theoretical model of superconducting spintronic SIsFS devicesстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 25 сентября 2013 г.
- Авторы: Bakurskiy S.V., Klenov N.V., Soloviev I.I., Bol'ginov V.V., Ryazanov V.V., Vernik I.V., Mukhanov O.A., Kupriyanov M.Yu, Golubov A.A.
- Журнал: Applied Physics Letters
- Том: 102
- Год издания: 2013
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 192603-1
- Последняя страница: 192603-4
- DOI: 10.1063/1.4805032
- Аннотация: Motivated by recent progress in the development of cryogenic memory compatible with single flux quantum (SFQ) circuits, we have performed a theoretical study of magnetic SIsFS Josephson junctions, where “S” is a bulk superconductor, “s” is a thin superconducting film, “F” is a metallic ferromagnet, and “I” is an insulator. We calculate the Josephson current as a function of s and F layers thickness, temperature, and exchange energy of F film. We outline several modes of operation of these junctions and demonstrate their unique ability to have large product of a critical current IC and a normal-state resistance RN in the p state, comparable to that in superconductor–insulator–superconductor tunnel junctions commonly used in SFQ circuits. We develop a model describing switching of the Josephson critical current in these devices by external magnetic field. The results are in good agreement with the experimental data for Nb-Al/AlOx-Nb-Pd0.99Fe0.01-Nb junctions.
- Добавил в систему: Куприянов Михаил Юрьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | ApplPhysLett_102_192603_2013.pdf | ApplPhysLett_102_192603_2013.pdf | 825,2 КБ | 22 апреля 2016 [mkupr] |