A highly pH-sensitive nanowire field-effect transistor based on silicon on insulator

Presnov, D.E.; Amitonov, S.V.; Krutitskii, P.A.; Kolybasova, V.V.; Devyatov, I.A.; Krupenin, V.A.; Soloviev, I.I.

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 30 октября 2013 г.

Авторы: Presnov Denis E., Amitonov Sergey V., Krutitskii Pavel A., Kolybasova Valentina V., Devyatov Igor A., Krupenin Vladimir A., Soloviev Igor I.
Журнал: Beilstein journal of nanotechnology
Том: 4
Год издания: 2013
Издательство: Beilstein-Institut zur Förderung der Chemischen Wissenschaften
Местоположение издательства: Frankfurt am Main, Germany
Первая страница: 330
Последняя страница: 335
DOI: 10.3762/bjnano.4.38
Аннотация: Background: An experimental and theoretical study of a silicon-nanowire field-effect transistor made of silicon on insulator by CMOS-compatible methods is presented. Results: A maximum Nernstian sensitivity to pH change of 59 mV/pH was obtained experimentally. The maximum charge sensitivity of the sensor was estimated to be on the order of a thousandth of the electron charge in subthreshold mode. Conclusion: The sensitivity obtained for our sensor built in the CMOS-compatible top-down approach does not yield to the one of sensors built in bottom-up approaches. This provides a good background for the development of CMOS-compatible probes with primary signal processing on-chip.
Добавил в систему: Колыбасова Валентина Викторовна

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ЦЭМИ РАН

A highly pH-sensitive nanowire field-effect transistor based on silicon on insulatorстатья

Прикрепленные файлы