СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНОГО ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК В МДП-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ МЛЭ n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0.21…0.23) С ПРИПОВЕРХНОСТНЫМИ ВАРИЗОННЫМИ СЛОЯМИ И БЕЗ ТАКИХ СЛОЕВстатья