High mobility thin film transistors with indium oxide/gallium oxide bi-layer structures

Wang, S.; J-W, Y.; P-C, Y.; H-W, K.; L-H, P.; Fedyanin, A.A.; Mishina, E.D.; Sigov, A.S.

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Авторы: S-L Wang, J-W Yu, P-C Yeh, H-W Kuo, L-H Peng, Fedyanin A.A., Mishina E.D., Sigov A.S.
Журнал: Applied Physics Letters
Том: 100
Год издания: 2012
Издательство: AIP Publishing
Местоположение издательства: United States
Первая страница: 063506
DOI: 10.1063/1.3683518
Аннотация: We investigate the transport properties of thin-film transistors using indium oxide (In2O3)/gallium oxide (Ga2O3) bi-layer stacks as the channel material. At low gate bias, we observe the transistor field-effect mobility increases with the film resistivity to lFE¼51.3 cm2/Vs and ON/OFF current ratio to 108 due to combinatorial layer thickness modulation. With the Ga2O3 layer thickness ratio increase to R¼14.35%, these observations are accompanied with one-order-of-magnitude reduction in the transistor subthreshold swing to 0.38 V/decade and suggest a trap-limited conduction mechanism upon which the reduced scattering centers due to annihilation of subgap states improve the device electric characteristics without post-growth annealing.
Добавил в систему: Федянин Андрей Анатольевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ЦЭМИ РАН

High mobility thin film transistors with indium oxide/gallium oxide bi-layer structuresстатья

Прикрепленные файлы