|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Диссипативное туннелирование электронов в вертикально связанных двойных асимметричных квантовых точках InAs/GaAs(001)статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Семенов M.Б., Кревчик В.Д., Шорохов A.В., Шкуринов A.П., Ожередов И.А., Кревчик П.В., Wang Y.H., Li T R., Malik A.K., Марычев М.О., Байдусь Н.В., Семенов И.M.
- Журнал: Журнал технической физики
- Том: 91
- Номер: 10
- Год издания: 2021
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 1431
- DOI: 10.21883/jtf.2021.10.51354.66-21
- Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований фотоэлектрических свойств GaAs p-i-n-фотодиода с двойными асимметричными квантовыми точками (ДАКТ) InAs, полученными методом самоформирования в процессе МОС-гидридной эпитаксии. В зависимости фототока от напряжения обратного смещения при монохроматическом фотовозбуждении ДАКТ на длине волны, соответствующей энергии межзонных оптических переходов между основными состояниями дырок и электронов в квантовых точках (КТ) большего размера, обнаружены 3 пика, связанные с туннелированием фотовозбужденных электронов между КТ, в том числе - диссипативным (с поглощением и испусканием оптических фононов). Результаты эксперимента качественно согласуются с теоретической полевой зависимостью вероятности 1D-диссипативного туннелирования между КТ. Ключевые слова: вертикально-совмещенные двойные асимметричные квантовые точки, InAs, GaAs, туннельные оптические переходы, фотопроводимость, диссипативное туннелирование.
- Добавил в систему: Шкуринов Александр Павлович