|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Анизотропия проводимости в дельта-легированных слоях GaAs, выращенных методом МЛЭ на разориентированных в направлении [2-1-1] подложках (111)Aстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 декабря 2017 г.
- Авторы: Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Кытин В.Г., Деркач А.В., Васильевский И.С.
- Журнал: Доклады Академии наук
- Том: 384
- Номер: 5
- Год издания: 2002
- Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 611
- Последняя страница: 614
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич