|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n-heterostructuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
- Авторы: Yunovich A.E., Avakyants L., Badgutdinov M., Bokov P., Chervyakov A., Shirokov S., Vasileva E., Feopentov A., Snegov F., Bauman D., Yavich B.
- Журнал: Materials Research Society Symposium Proceedings
- Том: 955
- Год издания: 2006
- Первая страница: 210
- Последняя страница: 212
- Аннотация: Electroreflectance (ER) spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n- heterostructures with multiple quantum wells (MQW) are studied. Structures with MQW InGaN/GaN were grown for blue LEDs by MOCVD technology and "flip-chip" mounted. The ER spectral maxima correspond to the high energy side of electroluminescence spectral line. The ER spectra caused by Franz-Keldysh effect are approximated by Aspnes theory. The ER spectra in a range 400 + 800 nm have interference bands caused by the change of refraction index in the structure. © 2007 Materials Research Society.
- Добавил в систему: Боков Павел Юрьевич