|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Optimazation of Transport Parameters of Selectively Delta-Doped GaAs/GaAlAs Heterostructures with High-Carrier-Density for Field Effect Transistorsстатья
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 13 июня 2017 г.
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Kadushkin V.I., Brandt N.B., Kytin V.G., Lunin R.A., Shangina E.L., de Visser A.
- Журнал: PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES
- Том: 10
- Год издания: 1995
- Первая страница: 347
- Последняя страница: 351
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич