|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Optical spectroscopy of Ce3+ ions in Gd3(AlxGa1-x)5O12 epitaxial filmsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 4 февраля 2014 г.
- Авторы: Vasil’eva N.V., Spassky D.A., Randoshkin I.V., Aleksanyan E.M., Vielhauer S., Sokolov V.O., Plotnichenko V.G., Kolobanov V.N., Khakhalin A.V.
- Журнал: Materials Research Bulletin
- Том: 48
- Номер: 11
- Год издания: 2013
- Издательство: Pergamon Press Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 4687
- Последняя страница: 4692
- DOI: 10.1016/j.materresbull.2013.08.005
- Аннотация: Epitaxial films of Ce-doped Gd3(AlxGa1-x)5O12 with x = 0.00, 0.22, 0.31, 0.38 formula units were grown using liquid-phase epitaxy method, and their optical properties were studied. The emission of Ce3+ ions can be observed only when Al3+ ions are incorporated into the garnet structure, resulting in a shift of the 5d Ce3+ states from the conduction band to the bandgap. It is shown that the shift is caused by the cumulative effect of gradual low-energy shift of the lowest 5d level of Ce3+ and the raise of the garnet bandgap energy with increasing Al3+ concentration.
- Добавил в систему: Спасский Дмитрий Андреевич