|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Обобщенная CVD-диаграмма системы Si–C–N–H–Не(Ar)статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
- Авторы: Шестаков В.А., Косяков В.И., Косинова М.Л.
- Журнал: Журнал неорганической химии
- Том: 65
- Номер: 6
- Год издания: 2020
- Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 829
- Последняя страница: 836
- DOI: 10.31857/s0044457x20060215
- Аннотация: Пленки карбонитрида кремния (SiCxNy) благодаря своим свойствам имеют широкие возможности практического применения. Получили интенсивное развитие методы приготовления объемных и пленочных материалов на основе SiCxNy. Рассмотрено получение таких пленок методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) с использованием кремнийорганических соединений в качестве исходных веществ. Дополнительными составляющими входных газов являются реагенты NH3, N2 и инертный газ (Не или Ar). Проанализированы основы термодинамических расчетов этого процесса, протекающего в квазиравновесных условиях. Построена обобщенная CVD-диаграмма системы Si–C–N–H–He(Ar) при избытке в ней углерода в области изменения параметров процесса осаждения: p = 0.01–10 Торр, T = 600–1400 K, n(N)/n(Si) = 1–10. Данная диаграмма полезна при экспериментальном исследовании системы Si–C–N–H–He(Ar).
- Добавил в систему: Щукин Александр Евгеньевич