|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substratesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 мая 2022 г.
- Авторы: Cherkashin N.A., Sakharov A.V., Nikolaev A.E., Lundin V.V., Usov S.O., Ustinov V.M., Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Tsatsul’nikov A.F.
- Журнал: Technical Physics Letters
- Том: 47
- Номер: 10
- Год издания: 2021
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 753
- Последняя страница: 756
- DOI: 10.1134/s106378502108006x
- Аннотация: Светоизлучающие III-N гетероструктуры выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на темплейтах (подложках) SiC/Si (111), сформированных методом согласованногозамещения атомов. Проведены исследования оптических и структурных свойств гетероструктур с цельювыявления формирования дефектов в структурах. Показано, что в таких гетероструктурах наблюдаютсяособенности роста буферного слоя (Al,Ga)N, связанные с наличием пор в Si под интерфейсом SiC/Si.Использование оптимизированного дизайна буферного слоя позволяет значительно уменьшить плотностьдислокаций и сформировать активную область с хорошим структурным качеством.
- Добавил в систему: Кукушкин Сергей Арсеньевич