|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Ammonia gas sensors using 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene hexacarbonitrile semiconductor filmsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 июня 2022 г.
- Авторы: Parfenov Aleksei A., Mumyatov Alexander V., Sagdullina Diana K., Shestakov Alexander F., Troshin Pavel A.
- Журнал: Synthetic Metals
- Том: 277
- Год издания: 2021
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 116764
- DOI: 10.1016/j.synthmet.2021.116764
- Аннотация: 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene hexacarbonitrile HAT(CN)6 represents a promising semiconductor material for organic electronic applications ranging from field-effect transistors to magnetic switches and solar cells. Herein, we report for the first time the application of HAT(CN)6 for designing OFET-based gas sensors. The organic field-effect transistors based on HAT(CN)6 showed a decent charge carrier mobility of 10−4 cm2 V−1s−1 coupled with high sensitivity and fast response to low concentrations of ammonia. Quantum chemical DFT calculations were applied to investigate supramolecular interactions of HAT(CN)6 with ammonia and reveal the origin of the observed sensing effect.
- Добавил в систему: Мумятов Александр Валерьевич