|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Persistent photoconductivity and and Quantum Hall-Isulator Transition in p- and n-type InAs/GaAs structures with quantum dotsстатья
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Lunin R.A., Rogozin V.A., Gurin P.S., Zvonkov B.N., Filatov D.O.
- Сборник: 12th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg,, 21-25 June 2004, Proceedings
- Год издания: 2004
- Место издания: Ioffe Institute St. Petersburg, Russia
- Первая страница: 354
- Последняя страница: 355
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич