Electron properties of delta-doped by Si on vicinal (111)A and (111)B surface GaAs structures - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Electron properties of delta-doped by Si on vicinal (111)A and (111)B surface GaAs structuresстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 июля 2017 г.

Авторы: Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Kaminskii V.E., Rogozin V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Derkach A.V.
Сборник: 11th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 23-28, 2003, Proceedings
Год издания: 2003
Место издания: Ioffe Institute St. Petersburg, Russia
Первая страница: 316
Последняя страница: 318
Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич