Impact-parameter dependence of inelastic energy losses for He and N ions channeled in siliconстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 октября 2013 г.
Аннотация:Using the channeling technique, the impact-parameter dependence of inelastic energy loss of fast He and N ions with Si atoms has been measured. For He ions the dependences obtained are in a good agreement with Dettmann and Robinson's theory and are shown to allow the explanation of the shape of channeled ion energy distributions.