|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Characteristics of the growth and composition of AlxGa1-xN/AlN/Si heterostructures with the use of the buffer layer of porous siliconстатья
- Авторы: Lenshin A., Zolotukhin D., Beltyukov A., Seredin P., Mizerov A.
- Журнал: Journal of Physics: Conference Series
- Том: 2227
- Номер: 1
- Год издания: 2022
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 012005
- Последняя страница: 012010
- DOI: 10.1088/1742-6596/2227/1/012005
- Добавил в систему: Бельтюков Артемий Николаевич