|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Улучшение фотолюминесцентных свойств полупроводниковых квантовых точек CdSe, CdSe/CdS для создания твердотельных лазерно-активных средстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Степанова У.А., Аль-Майяхи Х., Хакимов К.Т., Мурадова А.Г., Зайцев В.Б., Тельминов Е.Н.
- Журнал: Российские нанотехнологии
- Том: 17
- Номер: 3
- Год издания: 2022
- Издательство: НИЦ «Курчатовский институт»
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 368
- Последняя страница: 377
- DOI: 10.56304/S1992722322030190
- Аннотация: АннотацияПолучены квантовые точки (КТ) CdSe, CdSe/CdS в различных реакционных средах (водно-этанольная смесь, диэтиленгликоль, глицерин). Изучено влияние реакционной среды, продолжительности и температуры синтеза на размер и фотолюминесцентные свойства КТ. Использование глицерина в качестве реакционной среды позволяет получить КТ СdSe без оболочки с высокой интенсивностью фотолюминесценции в диапазоне 600–700 нм, для которых полоса дефектов люминесценции практически отсутствует. Наращивание оболочки CdS на кантовых точках CdSe способствует увеличению квантового выхода от 3.5 до 20% и уменьшению полной ширины на уровне половины высоты люминесценции по сравнению с нанокристаллами без оболочки. Разработаны нанокомпозиты на основе полиметилметакрилата и полученных КТ для их дальнейшего применения в качестве лазерно-активных сред.
- Добавил в систему: Зайцев Владимир Борисович