Влияние электронной теплопроводности на пороги и динамику развития пробоя диэлектриков, содержащих микровключениястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2020 г.
Аннотация:Аналитически и численно рассмотрено влияние электронов проводимости, возникающих при термической ионизации прозрачного диэлектрика в окрестности поглощающего микровключения, нагреваемого лазерным излучением. Показано, что электронная теплопроводность сравнительно мало влияет на величину порога возникновения неустойчивости, приводящей к оптическому пробою диэлектрика.