Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Structural and electrophysical properties of pseudomorphic GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells: effect of thin central AlAs barrier
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 марта 2017 г.
Авторы:
Vasilievskii I.S.
,
Kulbachinskii V.A.
,
Lomov A.A.
,
Imamov R.M.
,
Prokhorov D.Yu
,
Chuev M.A.
,
Galiev G.B.
,
Shirokov S.S.
Сборник:
Proceedings of SPIE. Micro and Nanoelectronics. V. 6260, edited by K.A. Valiev, A.A. Orlikovsky. 2006
Том:
6260
Год издания:
2006
Первая страница:
62600-1
Последняя страница:
62600-8
DOI:
10.1117/12.681733
Аннотация:
edited by
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич