|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Hopping conductivity and magnetic field induced quantum Hall-insulator transition in InAs/GaAs quantum dot layersстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 13 марта 2017 г.
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Rogozin V.A., Golikov A.V., Kytin V.G., Zvonkov B.N., Nekorkin S.M., Filatov D.O., de_Visser A.
- Сборник: Proceedings of SPIE, Volume 5023, 10th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology
- Том: 5023
- Год издания: 2002
- Первая страница: 461
- Последняя страница: 464
- DOI: 10.1117/12.514523
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич