|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Novel IV-VI diluted magnetic semiconductors doped with transition metalsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 июля 2013 г.
- Авторы: Skipetrov E.P., Golovanov A.N., Kovalev B.B., Skipetrova L.A., Knotko A.V., Slynko E.I., Slynko V.E.
- Сборник: AIP Conference Proceedings
- Серия: Narrow Gap Systems
- Том: 1416
- Год издания: 2011
- Место издания: American Institute of Physics (United States) Blacksburg, VA
- Первая страница: 131
- Последняя страница: 134
- DOI: 10.1063/1.3671715
- Аннотация: We study the structure, composition and galvanomagnetic properties (4.2≤T≤300K,B≤0.07T) of the single crystal Pb1-x-ySn xV yTe, Pb1-yTi yTe and Pb1-ySc yTe under variation of the alloy composition (x≤0.20,y≤0.025). An increase of the impurity content leads to a change in the free carrier concentration due to pinning of the Fermi level by the donor deep impurity levels. The energetic position of these levels in the investigated alloys is estimated. © 2011 American Institute of Physics.
- Добавил в систему: Скипетров Евгений Павлович