Optimization of transport parameters of selectively delta-doped GaAs/GaAlAs heterostructures with high carrier density for field effect transistor

Kulbachinskii, V.A.; Kadushkin, V.I.; Brandt, N.B.; Kytin, V.G.; Lunin, R.A.; Shangina, E.L.; de_Visser, A.

Optimization of transport parameters of selectively delta-doped GaAs/GaAlAs heterostructures with high carrier density for field effect transistorтезисы доклада

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 14 августа 2017 г.

Авторы: Kulbachinskii V.A., Kadushkin V.I., Brandt N.B., Kytin V.G., Lunin R.A., Shangina E.L., de_Visser A.
Сборник: 2nd International Conference PLDS-2, Physics of Low Dimensional Structures, Abstracts, Dubna 1995
Тезисы
Год издания: 1995
Место издания: Institute of Solid State Physics Dubna
Первая страница: 43
Последняя страница: 43
Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ЦЭМИ РАН

Optimization of transport parameters of selectively delta-doped GaAs/GaAlAs heterostructures with high carrier density for field effect transistorтезисы доклада