|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Resonant activation of resistive switching in ZrO2(Y) based memristorsстатья
- Авторы: Baranova V.N., Filatov D.O., Antonov D.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N.
- Журнал: Journal of Physics: Conference Series
- Том: 1695
- Номер: 1
- Год издания: 2020
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 012151
- DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012151
- Добавил в систему: Баранова Вера Николаевна