|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Subband electron mobility in selectively delta-doped GaAs/GaAlAs heterostructures with high carrier densityстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 14 августа 2017 г.
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bugaev A.S., Mokerov V.G., Senichkin A.P.
- Сборник: Compound Semiconductors 1996, Institute of Physics Conference Series, chapter 12
- Том: 155
- Год издания: 1997
- Место издания: Institute of Physics Publishing Ltd United Kingdom
- Первая страница: 957
- Последняя страница: 960
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич