Аннотация:Проведены измерения намагниченности и измерения прямым методом магнитокалорического эффекта в интерметаллидах на основе Gd5Si2Ge2 с малыми замещениями атомов кремния (Si) и германия (Ge) атомами олова (Sn) и индия (In). Обнаружено, что введение Sn уменьшает, а введение In увеличивает температуру магнитного упорядочения данных интерметаллидов относительно температуры Кюри исходного соединения Gd5Si2Ge2. Величина магнитокалорического эффекта заметно не изменяется при сделанных замещениях p-элементов. Различие магнитных свойств исходного соединения Gd5Si2Ge2 и соединений с замещениями Gd5Si2−xGe2−x(Sn,In)2x (x = 0.05) объясняется электронной структурой атомов легирования и изменением плотности электронных состояний на уровне Ферми.