Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Plasma Parameters and Kinetics of Reactive-Ion Etching of Silicon in a C6F12O + Ar Mixture
статья
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Авторы:
Efremov A.M.,
Betelin V.B.
, Kwon K.H.
Журнал:
Russian Microelectronics
Том:
51
Номер:
4
Год издания:
2022
Издательство:
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
Местоположение издательства:
Russian Federation
Первая страница:
247
Последняя страница:
254
DOI:
10.1134/s1063739722040047
Добавил в систему:
Стамов Любен Иванович