|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Ультрафиолетовые светодиоды на основе твердых растворов (AlGaIn)Nтезисы доклада
- Авторы: Бадгутдинов М.Л., Каргин Н.И., Пашков В.С., Юнович А.Э.
- Сборник: Тезисы докладов 3-й научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, посвященной памяти член-корр. РАН В.Г.Мокерова, НИЯУ МИФИ
- Тезисы
- Год издания: 2013
- Место издания: Москва
- Первая страница: 23
- Последняя страница: 24
- Аннотация: Развитие физики и технологии соединений III и V групп – нитридов алюминия, индия и галлия (AlInGa) привело к значительному прогрессу в создании ультрафиолетовых светодиодов (УФ СД) и приборов на основе (AlInGaN). Спектральный диапазон УФ СД на основе гетероструктур (ГС) AlInGaN лежит в пределах длин волн λ = 210 – 400 нм, а их внешний квантовый выход излучения вблизи λ = 250 – 280 нм достигает ηe = 0.13 – 2.78 %. Однако, уровень мощности излучения и внешний квантовый выход УФ СД падают при уменьшении λ, а для большинства важных практических применений необходимо увеличивать мощность и эффективность УФ СД. Дан обзор исследований и разработок светодиодов ближнего и дальнего ультрафиолетового (УФ) диапазонов на основе твердых растворов нитридов алюминия, индия и галлия (AlN, InN, GaN) и гетероструктур с множественными квантовыми ямами типа AlN/AlGaN/AlInGaN/InGaN/GaN. Рассмотрены физические принципы создания таких светодиодов, технологические проблемы эпитаксиального выращивания гетероструктур для УФ диапазона, проблемы разработок эффективных УФ светодиодов на их основе для различных применений. Развитие оптоэлектронных устройств на основе нитридных материалов III группы и создание УФ СД вызвано необходимостью в эффективных, компактных и стабильных твердотельных источниках и приемниках УФ излучения с длинами волн λ от 240 до 400 нм.
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович