|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
The Parameter influence of ion irradiation on the distribution profile of the defect in silicon filmстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 сентября 2017 г.
- Авторы: Shemukhin A.A., Balakshin Yu V., Evseev A.P., Chernysh V.S.
- Журнал: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
- Том: 406
- Номер: Part B
- Год издания: 2017
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 507
- Последняя страница: 510
- DOI: 10.1016/j.nimb.2017.04.055
- Добавил в систему: Шемухин Андрей Александрович