Аннотация:Синтез и исследование халькогенидов переходных элементов в низких степенях окисления открывают широкие перспективы для развития фундаментальных проблем физики конденсированного состояния и создания новых функциональных материалов электронной техники. Особый интерес представляют дихалькогениды переходных металлов состава МХ2, где М - Mo, W, Re; Х - S, Se, Te, которые находят применение в устройствах оптоэлектроники, радиофотоники, в лазерной физике, технике связи и т.д. В настоящей работе выполнен анализ литературных данных по синтезу и исследованию сульфидов переходных элементов вышеуказанного состава. Предложен и реализован способ прямого высокотемпературного синтеза ReS2 из исходных элементов. Полученное соединение идентифицировано методами рентгенофазового анализа, рентгенофотоэлектронной и ИК-спектроскопии. Показано, что оно кристаллизуется в структурном типе CdI2, и рений присутствует в синтезированном дисульфиде в степени окисления +4. На основании анализа ИК-спектров в длинноволновой области сделан вывод, что структура дисульфида рения характеризуется уменьшением угла при мостиковом атоме рения по сравнению с дисульфидом молибдена. Это приводит к деформации и сжатию слоев, формирующих кристаллическую структуру.