|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Raman Scattering in InP Doped by Be+-Ion Implantationстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 30 апреля 2017 г.
- Авторы: Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 51
- Номер: 2
- Год издания: 2017
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 168
- Последняя страница: 172
- Добавил в систему: Червяков Анатолий Васильевич