|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Modeling of the Quasi-Dielectric State in PbSnTe and PbSnSe Nanolayers with High Concentration of Nonstoichiometric Defectsстатья
- Авторы: Pashaev A.M., Davarashvili O.I., Enukashvili M.I., Akhvlediani Z.G., Gulyaev R.G., Bychkova L.P., Zlomanov V.P.
- Журнал: Nano Studies
- Номер: 8
- Год издания: 2013
- Первая страница: 253
- Последняя страница: 258
- Добавил в систему: Зломанов Владимир Павлович