|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Влияние параметров ионного облучения на образование дефектов в пленках кремниястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
- Авторы: Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Назаров А.В., Черныш В.С.
- Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
- Номер: 3
- Год издания: 2014
- Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 56
- Последняя страница: 58
- DOI: 10.7868/S0207352814030214
- Аннотация: Показано, что в отличие от массивного кремния, для которого аморфизация наблюдается при дозе облучения 5 × 10^16 ион/см2, пленки кремния на сапфире аморфизуются при меньших критических дозах (10^15 ион/см2. При бомбардировке пленок кремния пучками ионов Si+ вблизи поверхности остается неразрушенный облучением слой. Его толщина зависит от плотности тока пучка. С помощью резерфордовского обратного рассеяния ионов установлено, что структура облученной кремниевой пленки значительно улучшается после отжига при температуре 950°С. Отжиг пленок при температуре 1100°С ведет к перемешиванию атомов пленки и подложки на границе раздела кремний–сапфир.
- Добавил в систему: Балакшин Юрий Викторович