|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Фоточувствительные мемристивные структуры на основе модифицированного оксида графена и углеродных наночастицтезисы доклада Тезисы
- Авторы: Митюшев Н.Д., Баранов А.Н., Панин Г.Н.
- Сборник: Материалы Международного молодежного научного форума «Ломоносов-2023»
- Редакторы: Алешковский Иван Андреевич, Андриянов Андрей Владимирович, Антипов Евгений Александрович, Зимакова Екатерина Игоревна
- Серия: География
- Тезисы
- Год издания: 2023
- Издательство: ООО "МАКС Пресс"
- Местоположение издательства: Москва
- Аннотация: Мемристоры – это двухэлектродные устройства, резистивные состояния которых изменяются при прохождении через них заряда, и эти состояния энергонезависимы. 2D материалы, такие как оксид графена (ОГ), позволяют создавать атомарно-тонкие гетерогенные структуры на основе Ван-дер-Ваальсовых взаимодействий с уникальными электрическими и оптическими свойствами. Двумерные материалы могут быть модифицированы с помощью углеродных наночастиц (УНЧ), что дает возможность эффективно контролировать фоторезистивные состояния с помощью света в широком электромагнитном диапазоне.Целью нашей работы было создание фоточувствительных мемристивных планарных структур на основе оксида графена с использованием углеродных наночастиц для контроля фоторезистивного переключения в видимом диапазоне. Последовательность стадий изготовления структур включала:1)Нанесение золя ОГ на кремниевую (Si/SiO2) подложку методом накапывания на вращающуюся подложку с последующей сушкой.2)Восстановление ОГ либо аскорбиновой кислотой, либо гидразином в присутствии фторида аммония. Отделение пленки от подложки путем растворения слоя SiO2 в плавиковой кислоте, и ее последующий перенос на измерительную структуру, изготовленную методом фотолитографии.3)Синтез УНЧ, их диализ и нанесение на пленку восстановленного оксида графена (ВОГ). Полученные наноразмерные пленки (толщиной 30-40 нм) были исследованы c помощью инфракрасной (ИК) и рентгеновской фотоэлектронной (РФЭ) спектроскопии, а также спектроскопии комбинационного рассеяния света (КР), изучена их морфология. На основе этих пленок были изготовлены фоторезистивные структуры и измерены их вольтамперные характеристики (ВАХ). Было показано:1)Восстановление ОГ аскорбиновой кислотой или гидразином приводит к разной проводимости структур, которая может отличаться на несколько порядков.2)Допирование ОГ азотом в процессе его восстановления гидразином позволило контролировать более низкоомные резистивные состояния при более низких напряжениеях переключения, по сравнению с мемристивными структурами, восстановленными аскорбиновой кислотой.3)Возбуждение структур светом позволяло смещать диапазон резистивных переключений по шкале напряжения и контролировать фоторезистивные состояния.
- Добавил в систему: Митюшев Никита Дмитриевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Сертификат об участии | invite.pdf | 889,0 КБ | 18 августа 2023 [MitiushevND] | |
| 2. | Краткий текст | Тезисы в сборнике | uid686719_1b96c21f8d0c9a30b91fb9c2d30151c119fb0b4d_2.doc | 40,5 КБ | 24 августа 2023 [MitiushevND] |