High on-currents with highly strained Si nanowire MOSFETs - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

High on-currents with highly strained Si nanowire MOSFETsстатья

Авторы: Luong G.V., Knoll L., Suess M.J., Sigg H., Schafer A., Trellenkamp S., Bourdelle K.K., Buca D., Zhao Q.T., Mantl S.
Сборник: 2014 15th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS)
Год издания: 2014
Место издания: IEEE
DOI: 10.1109/ulis.2014.6813909
Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович