Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
High mobility strained Si0.5Ge0.5/SSOI short channel field effect transistors with TiN/GdScO3 gate stack
статья
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Авторы:
Minamisawa R.A.
,
Schmidt M.
,
Durgun Özben E.
,
Lopes J.M.J
,
Hartmann J.M.
,
Bourdelle K.K.
,
Schubert J.
,
Zhao Q.T.
,
Buca D.
,
Mantl S.
Журнал:
Microelectronic Engineering
Том:
88
Номер:
9
Год издания:
2011
Издательство:
Elsevier BV
Местоположение издательства:
Netherlands
Первая страница:
2955
Последняя страница:
2958
DOI:
10.1016/j.mee.2011.04.030
Добавил в систему:
Бурдель Константин Константинович