Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
LaScO3 as a higher-κ dielectric for p-MOSFETs
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 февраля 2024 г.
Авторы:
Durğun Özben E.
,
Schnee M.
,
Nichau A.
,
Mussmann V.
,
Lupták R.
,
Lopes J.M.J
,
Lenk St
,
Bourdelle K.K.
,
Zhao Q.T.
,
Schubert J.
,
Mantl S.
Журнал:
Microelectronic Engineering
Том:
88
Номер:
7
Год издания:
2011
Издательство:
Elsevier BV
Местоположение издательства:
Netherlands
Первая страница:
1323
Последняя страница:
1325
DOI:
10.1016/j.mee.2011.03.048
Добавил в систему:
Бурдель Константин Константинович