UTBOX and ground plane combined with Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> inserted in TiN gate for V<inf>T</inf> modulation in fully-depleted SOI CMOS transistorsстатья
Авторы:
Fenouillet-Beranger C. ,
Perreau P. ,
Casse M. ,
Garros X. ,
Leroux C. ,
Martin F. ,
Gassilloud R. ,
Bajolet A. ,
Tosti L. ,
Barnola S. ,
Andrieu F. ,
Weber O. ,
Beneyton R. ,
Perrot C. ,
de Buttet C. ,
Abbate F. ,
Pernet B. ,
Campidelli Y. ,
Pinzelli L. ,
Gouraud P. ,
Huguenin J.L. ,
Borowiak C. ,
Peru S. ,
Clement L. ,
Pantel R. ,
Bourdelle K.K. ,
Nguyen B.Y. ,
Boedt F. ,
Denorme S. ,
Faynot O. ,
Skotnicki T. ,
Boeuf F.
Сборник:
Proceedings of 2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
Год издания:
2011
Место издания:
IEEE
DOI:
10.1109/vtsa.2011.5872254
Добавил в систему:
Бурдель Константин Константинович