|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Elastic strain and dopant activation in ion implanted strained Si nanowiresстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus- Авторы: Minamisawa R.A., Habicht S., Buca D., Carius R., Trellenkamp S., Bourdelle K.K., Mantl S.
- Журнал: Journal of Applied Physics
- Том: 108
- Номер: 12
- Год издания: 2010
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- DOI: 10.1063/1.3520665
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович